半導体ウエハの研削方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075254
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245280
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】シリコンウエハの外周と、その上下の面の研削を行なう機械に係る研削方法。【構成】シリコンウエハのオリフラ部を研削する時は、砥石の回転軸をシリコンウエハのオリフラ部に平行に、プログラムによって設定された位置だけ移動する。この時、シリコンウエハは回転しない。砥石部の移動が終了した位置で、ウエハを1回転させ、オリフラ部を除く外周部を研削する。一回転後、ウエハの回転を停止し、砥石はウエハの面取りの為の上下動を行なうが、その時に砥石とウエハは接触しない。ウエハのオリフラ部を含む外周部と、その上下のそれぞれの面取りを別々に行なうか、または、ウエハのオリフラ部を含む外周部と、その上下のいずれかの面取りを同時に行なうかは、制御装置のプログラムにより変更できるものとする。

請求項（抜粋）：