特許
J-GLOBAL ID：200903059040769560
窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093132
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264439
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 良質の窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法を提供する。【構成】 基板100表面をまず高温にして、窒素だけを供給して均一な窒化面を作製する。その後窒化した表面を比較的低温として、均一にGaなどの陽イオン元素を蒸着する。そして再度高温にしながら窒素を供給することにより表面を窒化するとともに余分な陽イオン元素を再蒸発させ、陽イオン原子と窒素原子の結合を促し、これにより窒化物半導体の均質な初期層350を形成する。
請求項（抜粋）：
基板の表面での窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法であって、前記基板の表面に窒化する第1の工程と、1以上の種類の成長すべき化合物半導体の陽イオン元素を1原子層以上堆積あるいは蒸着する第2の工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 29/205
, H01L 33/00
H01L 21/20
, H01L 21/203 Z
, H01L 33/00 C
, H01L 29/205
