半導体装置および半導体装置製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟 , 柴田昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-224540
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047832
出願日： 2006年08月21日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】小型化および薄型化が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1では、半導体素子10、金属板31,32およびバンプ41,42が、樹脂50により封止されている。金属板31,32それぞれは、半導体素子10の下面の電極パッド11,12とバンプ41,42により電気的に接続され、外部接続端子として用いられる。金属板31,32それぞれの下面は共通の仮想平面上にある。半導体素子10およびバンプ41,42は、その仮想平面に対して一方の側に設けられた樹脂50により覆われている。金属板31,32それぞれの上面および側面も樹脂50により覆われている。金属板31,32それぞれの下面は、樹脂50により覆われることなく露出している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに対向する第1面および第2面を有し、該第2面に電極パッドが形成された半導体素子と、互いに対向する第1面および第2面を有し、該第1面が前記半導体素子の前記電極パッドとバンプで接続された金属板と、を備え、前記半導体素子,前記金属板および前記バンプが前記金属板の第2面に対して一方の側に設けられた樹脂により覆われ、前記金属板の第2面が前記樹脂により覆われることなく露出している、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 33/00 , H01L 31/02

FI (5件)：

H01L23/12 501T , H01L23/12 501B , H01L25/08 Z , H01L33/00 N , H01L31/02 B

Fターム (20件)：

5F041AA47 , 5F041CA76 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA44 , 5F041DA45 , 5F041DA57 , 5F041DA59 , 5F041DB09 , 5F041DC02 , 5F088BA15 , 5F088CB17 , 5F088JA06 , 5F088JA09 , 5F088JA10 , 5F088JA12 , 5F088JA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-038114 出願人：株式会社シチズン電子

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-174464 出願人：三洋電機株式会社, 関東三洋セミコンダクターズ株式会社
特開平1-179334

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