特許
J-GLOBAL ID:200903059075861516

高周波半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松村 修治 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-192166
公開番号(公開出願番号):特開平7-046009
出願日: 1993年08月03日
公開日(公表日): 1995年02月14日
要約:
【要約】【目的】 各種高周波機器に使用される半導体装置において、伝送線路の損失が大きく、上方の物体の影響を受け易いという問題を解決し、伝送線路の伝搬損失を減らし、上方の影響を受けない優れた特性を持つ高周波半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 誘電体基板2上に中心導体3を設け、この中心導体の両側に所定の間隔をあけて、お互いに影響のでないようにして、バンプ4を設け、フリップチップ方式の実装によって接地導体1を設置する。誘電体を空気としたマイクロストリップ構造をとることにより、非常に低損失なマイクロストリップ線路が実現でき、このことにより優れた性能をもった高周波半導体装置が得られる。
請求項(抜粋):
第1の誘電体上に設けられた第1の中心導体と、前記第1の中心導体より一定距離上方にフリップチップ方式の実装によって設けられた導体を備え、前記導体を第1の接地導体とし、前記第1の中心導体とでマイクロストリップ線路構造とし、信号を伝送することを特徴とした高周波半導体装置。
IPC (2件):
H01P 3/08 ,  H01P 11/00
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平3-064101
  • 特開昭64-060008
  • 特開昭60-253303
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