特許
J-GLOBAL ID：200903059108719559
半導体光変調器及びモノリシック集積半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168402
公開番号（公開出願番号）：特開2001-350127
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】光通信用に用いる場合においても優れた伝送特性を有し、または内部損失の小さい、または駆動電子回路を簡易化できる、または製造の容易な半導体光変調器ならびにモノリシック集積半導体光素子を提供する。【解決手段】面方位が{311}A面のn型InP半導体基板101の上にEA-MD用MQW103を挟み込んでn型InP102及びp型InP105を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極108及びEA-MD用電極109を設ける。また、上記n型InP半導体基板101の上に、DFB-LD用MQW104及びDFB-LD用電極110が形成されてモノリシック集積半導体光素子が構成される。上記EA-MD用MQW103は、障壁層112及び井戸層113が交互に積層されて形成される。そして、障壁層112に伸張歪を付与し、且つ井戸層113に圧縮歪を付与している。
請求項（抜粋）：
閃亜鉛鉱構造の半導体基板上に量子井戸構造を形成してなる半導体光変調器において、上記半導体基板の面方位を、{100}面から10度以上80度以下の範囲で傾斜した面とし、且つ、上記量子井戸構造中の井戸層に伸張歪及び圧縮歪の一方を付与すると共に上記量子井戸構造中の障壁層に伸張歪及び圧縮歪の他方を付与することを特徴とする半導体光変調器。
IPC (3件)：
G02F 1/017 503
, G02F 1/313
, H01S 5/026
G02F 1/017 503
, G02F 1/313
, H01S 5/026
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA16
, 2H079DA22
, 2H079EB04
, 2H079HA12
, 2H079KA20
, 2K002AB09
, 2K002AB30
, 2K002BA06
, 2K002CA13
, 2K002DA08
, 2K002DA12
, 2K002EA28
, 2K002HA17
, 5F073AA74
, 5F073AB01
, 5F073AB21
, 5F073CA06
, 5F073CA07
, 5F073CA12
, 5F073CA13
, 5F073CA17
, 5F073CB02
