特許
J-GLOBAL ID：200903059144469534

高周波モジュールと、これを用いた電子機器

発明者：
小倉 智英

小倉 智英 について

, 
北川 元祥

北川 元祥 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-304737
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124167
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】基板の下面側に半導体素子が装着された高周波モジュールの厚みを薄くする。【解決手段】基板31の外周に沿って設けられた中継基板33と、この中継基板33の天面33aに形成された複数の接続ランド9と、基板31の孔33bに囲まれた領域に装着された半導体素子2や電子部品4を備え、中継基板33の天面33aにおいて接続ランド9の少なくとも内側と外側のいずれか一方に接続ランド35を設け、接続ランド35はグランド端子とするとともに、基板35の中継基板33側は開放されたものである。そしてこのような高周波モジュール21をマザー基板23へ実装すれば、シールド性が確保でき、基板31の裏側におけるカバーが不要となる。従って、カバーが不要となる分、高周波モジュール21を薄型化できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板の外周に沿って設けられた凸部と、この凸部の天面に形成された複数の第1の接続ランドと、前記凸部で囲まれた凹部の底面に装着された電子部品とを備え、前記凸部の天面において前記第1の接続ランドの少なくとも内側と外側のいずれか一方に設けられた第2の接続ランドを設け、前記第2の接続ランドはグランド端子とするとともに、前記基板の前記凸部形成面側が開放された高周波モジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/02 ,  H05K 9/00 ,  H01L 23/00
FI (3件)：
H01L23/02 C ,  H05K9/00 R ,  H01L23/00 C
Fターム (4件)：
5E321AA02 ,  5E321AA17 ,  5E321CC12 ,  5E321GG05
引用特許：
出願人引用 (1件)

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