配線構造、及び配線構造の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321833
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176531
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 Cu,Ag,Auなどの低抵抗配線材料の問題である、密着性不良及び酸化の問題を解決して、低抵抗で、エレクトロマイグレーションに強い低抵抗配線構造及びその形成方法を提供する。【構成】 ?@基板1上に形成したCu,Ag,Auなどの低抵抗配線材料3から成る配線の全面を、Al膜もしくはAlを主材料とする合金膜2,4,60で被覆した配線構造。?A基板上にAl膜もしくはAlを主材料とする合金及び低抵抗材料から成る配線形成後、再度AlもしくはAlを主材料とする合金を成膜する。?B下層絶縁膜に溝を穿設した後、AlもしくはAlを主材料とする合金及び低抵抗材料を埋め込むことにより低抵抗配線構造を形成する。

請求項（抜粋）：