特許

J-GLOBAL ID：200903059175056262

気相からの低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法

発明者： 内田 恭敬
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269208
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】多層配線装置等に用いる比誘電率を制御できる可能性が大きい多孔質シリカ膜の形成方法の開発。【構成】化学気相成長法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法において、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第3種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させて、シリコン系絶縁膜を基板に堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基を絶縁膜から除去する。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法によりシリコン系絶縁膜を基板に堆積する方法において、シアネート基を有するシリコン系原料、メチル基以外のアルキル基を少なくとも有するシリコン系原料、および第3種アミンを原料とするガスを反応室中に導入して反応させてシリコン系絶縁膜を基板に堆積し、このシリコン系絶縁膜を熱処理してメチル基よりも脱離温度の低いアルキル基を絶縁膜から除去することを特徴とする低誘電率多孔質シリカ膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/42

Fターム (19件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02