特許
J-GLOBAL ID：200903059205082719
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-021655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222661
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】モールド樹脂内に空気が抱き込まれるのを有効に防止し、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることのできる半導体装置を提供することにある。【構成】上面中央部に半導体素子3が搭載される搭載部1a及び該搭載部1a周辺から外周部にかけて扇状に導出する複数個の配線層4を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の半導体素子搭載部に搭載され、電極が前記配線層4の一端に接続されている半導体素子3と、前記配線層4の他端に取着され、半導体素子3を外部電気回路に接続する複数個の外部リード端子2と、前記絶縁基体1、半導体素子3及び外部リード端子2の一部を被覆するモールド樹脂6とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体1下面の表面粗さがJISーBー0601に規定の中心線平均粗さ(Ra)で0.5μm≦Ra≦2.0μmである。
請求項（抜粋）：
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部及び該搭載部周辺から外周部にかけて扇状に導出する複数個の配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の半導体素子搭載部に搭載され、電極が前記配線層の一端に接続されている半導体素子と、前記配線層の他端に取着され、半導体素子を外部電気回路に接続する複数個の外部リード端子と、前記絶縁基体、半導体素子及び外部リード端子の一部を被覆するモールド樹脂とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体下面の表面粗さがJISーBー0601に規定の中心線平均粗さ(Ra)で0.5μm≦Ra≦2.0μmであることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/28 Z
, H01L 23/28 A
, H01L 23/02 B
