3族窒化物半導体発光素子及び光源装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122918
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298041
出願日： 1998年04月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】順方向及び逆方向の静電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。【解決手段】リードフレーム402がインサート成形され、リードフレーム402が露出した第1部屋404と第2部屋406とが形成された枠体400が設けられている。第1部屋404に青色発光ダイオード100B、緑色発光ダイオード100G、赤色発光ダイオード100Rの各チップがダイボンディグされており、第2部屋406には、露出したリードフレームにツェナーダイオード300B、300Gが配設されていいる。ツェナーダイオード300B、300Gは、それぞれのダイオードに並列接続されており、各ダイオードの順方向の動作電圧以上の電圧でツェナーブレイクダウンを起こすような極性で接続されている。これにより、順方向の過電圧に対してはツェナーブレイクダウンにより、逆方向の過電圧に対しては通常の順方向ダイオードとして過電流がバイパスされる。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体から成るp層、そのp層に対するp電極、n層及びそのn層に対するn電極とから成る発光部を有した発光素子において、前記p電極と前記n電極との間に、前記p電極と前記n電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧に対して定電圧で導通する定電圧ダイオード、前記p電極と前記n電極との間の順方向の動作電圧以上の順電圧、及び、逆電圧に対して定電圧で導通する双方向性定電圧ダイオード、及び、コンデンサのうち、少なくとも1種から成る静電気に対する補償素子を接続したことをことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-328011 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
特開平4-042587
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-194222 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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