特許

J-GLOBAL ID：200903059212697621

半導体ウェハ電気的測定装置

発明者： 平得 貞雄 ,  岡田 博至 ,  松原 英明
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 下出 隆史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193747
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037216
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの裏面を金属で汚染することなく、半導体ウェハの特性を電気的に測定する。【構成】 ステージ130は金属と、その金属上に形成された金属汚染防止膜と、から成っており、半導体ウェハ120を保持する。金属汚染防止膜は、半導体膜、半導体酸化膜、半導体窒化膜、半導体炭化膜、または、ポリテトラフルオロエチレン膜から成る。【効果】 半導体ウェハ120をステージ130上に載置した際に、半導体ウェハ120の裏面は、金属面ではなく、金属汚染防止膜に接触することになる。金属汚染防止膜は金属を含んでいないため、半導体ウェハ120の裏面が金属で汚染されることはない。

請求項（抜粋）：

ステージ上に半導体ウェハを載置し、少なくとも前記ステージを測定電極の一つとして、前記半導体ウェハの特性を電気的に測定する半導体ウェハ電気的測定装置であって、前記ステージは、導体または抵抗率1Ω・cm以下の半導体で構成される導体部と、該導体部上に形成された金属汚染防止膜と、を備え、該金属汚染防止膜で前記半導体ウェハと接触することにより、前記半導体ウェハへの金属の汚染を防止することを特徴とする半導体ウェハ電気的測定装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-248062
  
• 汚染の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-343277   出願人：ソニー株式会社