特許

J-GLOBAL ID：200903059225945314

DRAMの基板電圧発生装置

発明者： 田口 宏幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252900
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103765
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】DRAMの基板電圧発生装置において、消費電力の低減を図ること。【構成】通常動作時のモード(M1)において第1の基板電圧(VBB1 )をDRAM(DR)に印加し、内部電池でデータを保持する状態であるバッテリバックアップモード(M2)において前記第1の基板電圧(VBB1 )と異なる第2の基板電圧(VBB2 )を前記DRAM(DR)に印加する。

請求項（抜粋）：

通常動作時のモード(M1)において第1の基板電圧(VBB1 )をDRAM(DR)に印加し、内部電池でデータを保持する状態であるバッテリバックアップモード(M2)において前記第1の基板電圧(VBB1 )と異なる第2の基板電圧(VBB2 )を前記DRAM(DR)に印加することを特徴とするDRAMの基板電圧発生装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 325 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-205919   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-045997
  
• 特開平3-152791
  
• 特開平4-053260