特許
J-GLOBAL ID:200903059226994963

多層導波路形再生専用メモリーカード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-148923
公開番号(公開出願番号):特開平11-337756
出願日: 1998年05月29日
公開日(公表日): 1999年12月10日
要約:
【要約】【課題】 高精度な膜厚制御を必要としないで、大容量の記憶システムを構築することが可能な多層導波路形再生専用メモリーカードを提供するにある。【解決手段】 平面型光導波路1,2を多層に重ねて作られ、かつ、光を導波路に結合させる面が導波路平面の法線に対し45°に傾いている構造をもつ多層導波路において、各導波路層1に屈折率揺らぎ、若しくは、凹凸による散乱要因を形成することで導波路平面から導波路外に漏れ出す散乱光を作り、その散乱光の発生位置をレンズ6と二次元受光素子4を用いて二次元パターン情報として取り出すことを特徴とする。
請求項(抜粋):
平面型光導波路を多層に重ねて作られ、かつ、光を導波路に結合させる面が導波路平面の法線に対し45°に傾いている構造をもつ多層導波路において、各導波路層に屈折率揺らぎ、若しくは、凹凸による散乱要因を形成することで導波路平面から導波路外に漏れ出す散乱光を作り、その散乱光の発生位置をレンズと二次元受光素子を用いて二次元パターン情報として取り出すことを特徴とする多層導波路形再生専用メモリーカード。
IPC (3件):
G02B 6/122 ,  G06K 19/06 ,  G11B 7/24 572
FI (3件):
G02B 6/12 C ,  G11B 7/24 572 Z ,  G06K 19/00 D
引用特許:
審査官引用 (2件)

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