特許
J-GLOBAL ID：200903059233116548
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305415
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148473
出願日： 1994年11月15日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】汚染の発生が少なく、熱変形の少ない遮蔽板を有するプラズマ処理装置を提供する。【構成】マイクロ波2によって反応ガスがプラズマ化される反応室4と半導体ウェーハ8表面を処理するウェーハ処理室7と、反応室とウェーハ処理室との間を仕切る絶縁遮蔽板5を有する。前記絶縁遮蔽板は、反応ガスのプラズマ化によって発生するイオンを反応室に入るのを遮蔽し、反応ガスのプラズマ化によって発生するラジカルを反応室に導入し,さらにメッシュの孔径を小さくする事によってイオンが絶縁遮蔽板を通過しないようにする。また、石英板は、反応室を汚染しない遮蔽板として用い、アルミニウム板と石英板とを合わせた遮蔽板は、イオンをアースすると共に反応室の汚染を防止することとともに遮蔽板を通過するイオンをアースしたアルミニウム板に吸収できる。ウェーハ処理室に配置したヒータは、被処理体にダメージを与えることなく高反応速度でプラズマ処理を行う。
請求項（抜粋）：
マイクロ波によって反応ガスがプラズマ化される反応室と、前記反応室で発生したプラズマによって半導体ウェーハ表面を処理するウェーハ処理室と、前記反応室と前記ウェーハ処理室との間を仕切る絶縁遮蔽板とを備え、前記絶縁遮蔽板は前記反応ガスのプラズマ化によって発生するイオンを前記ウェーハ処理室に入るのを遮蔽し、前記反応ガスのプラズマ化によって発生するラジカルを前記ウェーハ処理室に導入することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C30B 25/02
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 H
