特許
J-GLOBAL ID：200903059238931444

誘電体セラミック組成物、及び積層セラミックコンデンサ

発明者：
村木 智則

村木 智則 について

, 
平松 隆

平松 隆 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002354
公開番号（公開出願番号）：特開2005-194138
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 高い比誘電率でありながら、誘電体セラミック層を薄層化しても、比誘電率の温度特性が平坦で、絶縁抵抗と高温負荷信頼性に優れ、またDCバイアス変化率の絶対値が小さい、誘電体セラミック組成物、及びこの誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 組成式:100(Ba1-xCax)mTiO3+aMnO+bV2O5+cSiO2+dRe2O3(但し、Reは、Y、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、c、およびdはモル比を表わす)で表わされる誘電体セラミック組成物であって、x、m、a、b、c、及びdは、0.030≦x≦0.20、0.990≦m≦1.030、0.010≦a≦5.0、0.050≦b≦2.5、0.20≦c≦8.0、0.050≦d≦2.5の範囲内にある。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
組成式:100(Ba1-xCax)mTiO3+aMnO+bV2O5+cSiO2+dRe2O3(但し、ReはY、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、及びYbの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、a、b、c、及びdはモル比を表わす)で表わされる、誘電体セラミック組成物であって、 0.030≦x≦0.20、 0.990≦m≦1.030、 0.010≦a≦5.0、 0.050≦b≦2.5、 0.20≦c≦8.0、 0.050≦d≦2.5、 の範囲内にある、誘電体セラミック組成物。
IPC (3件)：
C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12
FI (4件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 361
Fターム (35件)：
4G031AA04 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB14 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB15 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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