特許
J-GLOBAL ID:200903059325523166
有機半導体材料、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉田 研二
, 石田 純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-196355
公開番号(公開出願番号):特開2007-019086
出願日: 2005年07月05日
公開日(公表日): 2007年01月25日
要約:
【課題】熱や酸化に対して安定した特性を有し、高いキャリア移動度を有するn型の有機半導体材料を実現する。【解決手段】下記一般式(1)等で示されるグラフェン骨格を有し、少なくとも1つの、1つ以上のフッ素原子を有する置換基を持つ有機半導体材料である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
1つ以上のフッ素原子を有する置換基を少なくとも1つ有するグラフェン誘導体であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/05
, H01L 29/786
, C07C 22/04
, H01L 51/30
FI (4件):
H01L29/28 100A
, H01L29/78 618B
, C07C22/04
, H01L29/28 250H
Fターム (41件):
4H006AA01
, 4H006AB91
, 4H006FC56
, 5F110AA05
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110BB05
, 5F110BB09
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK07
, 5F110HK08
, 5F110HK09
引用特許: