特許
J-GLOBAL ID：200903059336821789
多層配線構造の製造方法および半導体装置の搭載方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245485
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087701
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】製造プロセスにおける取扱い性、搬送性に優れた板厚に調整ができ、量産対応が容易となる多層配線構造の製造方法および半導体装置の搭載方法を提供する。【解決手段】キャリア板3とメタルベース1とを接着部5において接着性樹脂4により部分的に接着して貼りつけ、メタルベース1上に第1の金属パッド8、絶縁性樹脂7および第2の金属パッド6を具備した多層配線を形成し、接着している接着部5を切断部9で切断することによりメタルベース1をキャリア板3から分離する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
キャリア板とメタルベースとを部分的に接着して貼りつける工程と、前記メタルベース上に多層配線を形成する工程と、前記接着している箇所を切断することにより前記メタルベースを前記キャリア板から分離する工程と、前記メタルベースを除去する工程とを有することを特徴とする多層配線構造の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 J
, H01L23/12 N
