アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219444
公開番号（公開出願番号）：特開2002-206009
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示されるアセタール化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、Xは一つの水素原子が水酸基又はアセトキシ基で置換されていてもよい-(CH2)m-を表す。kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数、nは2又は3である。)【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるアセタール化合物。【化1】(式中、Rは水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、Xは一つの水素原子が水酸基又はアセトキシ基で置換されていてもよい-(CH2)m-を表す。kは0又は1、mは1≦m≦8を満たす整数、nは2又は3である。)

IPC (8件)：

C08F 32/00 , C07D317/12 , C07D317/20 , C07D317/24 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08F222/10 , G03F 7/039 601

FI (8件)：

C08F 32/00 , C07D317/12 , C07D317/20 , C07D317/24 , C08F220/10 , C08F222/06 , C08F222/10 , G03F 7/039 601

Fターム (34件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AA13 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025FA17 , 4J100AK32Q , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100AR11R , 4J100BA03P , 4J100BA10P , 4J100BA15R , 4J100BC03P , 4J100BC03R , 4J100BC04R , 4J100BC08R , 4J100BC09R , 4J100BC59P , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-043101 出願人：現代電子産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

J.Am.Chem.Soc., 1982, 104,3,p877-879

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