特許

J-GLOBAL ID：200903059346974648

磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者： 井上 亨 ,  種村 茂樹 ,  照沼 幸一
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355311
公開番号（公開出願番号）：特開2002-163808
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 簡単な構成および製造工程で、磁気抵抗効果素子に接続された電極層とシールド層との間に配置された絶縁層の静電破壊を防止できるようにする。【解決手段】 再生ヘッドは、磁界を検出するMR素子5と、このMR素子5に対してセンス電流を流すための一対の電極層6と、MR素子5および電極層6を挟み込んでこれらをシールドする下部シールド層および上部シールド層と、MR素子5および電極層6と下部シールド層との間に配置された下部絶縁層4a,4bと、MR素子5および電極層6と上部シールド層との間に配置された上部絶縁層と、電極層6と下部シールド層との間に設けられ、これらを接続する単層の下部半導体層と、電極層6と上部シールド層との間に設けられ、これらを接続する単層の上部半導体層とを備えている。

請求項（抜粋）：

磁界を検出する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に対して磁界検出用の電流を流すための電極層と、前記磁気抵抗効果素子および電極層を挟み込んでこれらをシールドする第1および第2のシールド層と、前記磁気抵抗効果素子および電極層と前記第1のシールド層との間に配置された第1の絶縁層と、前記磁気抵抗効果素子および電極層と前記第2のシールド層との間に配置された第2の絶縁層と、前記電極層と少なくとも一方のシールド層との間に設けられ、これらを接続する単層の半導体層とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果装置。

IPC (6件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/40 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/40 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 H ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (13件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BB09 ,  5D034CA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049DB01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗システム用の電気オーバストレスおよび静電放電の保護
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253757   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気ヘッド、磁気記録装置及び磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-178806   出願人：富士通株式会社