特許
J-GLOBAL ID：200903059359887248
Hブリッジ昇圧回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254400
公開番号（公開出願番号）：特開平11-098835
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】スイッチング素子の損傷を防止するための構成、および出力電圧を測定するための構成をより簡便にして高性能・低コストのHブリッジ昇圧回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による構成において偏磁防止用コンデンサ13とスナバ回路15を設けることにより、サージ電圧およびトランス5の偏磁の影響を受ける偏磁防止用コンデンサ13の電圧がスナバコンデンサ18の電圧と連動して変化するため、スナバコンデンサ18一つの電圧を計測することでトランス5の偏磁とスイッチング素子の誤動作の検出が可能となり、また前記スナバ回路15中のスナバコンデンサ18の特性により定常時(最大一定出力時)における出力電圧の簡便な測定が可能となることを利用するものである。
請求項（抜粋）：
Hブリッジ回路の入力端子の正極側に直列に昇圧用インダクタンスを接続し、前記Hブリッジ回路の出力端子に偏磁防止用コンデンサとトランスの1次側端子を直列に接続して構成されるHブリッジ昇圧回路において、スナバダイオードと放電抵抗とを並列に接続すると共に前記スナバダイオードのカソード側にさらにスナバコンデンサを直列に接続して構成されるスナバ回路を、前記昇圧用インダクタンスと前記Hブリッジ回路入力端子の正極側との間に前記スナバダイオードのアノードが位置するよう前記Hブリッジ回路の上下端に並列に接続し、前記スナバコンデンサの電圧を計測することにより前記トランスの偏磁および前記Hブリッジ回路中のスイッチング素子の誤動作を検出することを特徴とするHブリッジ昇圧回路。
引用特許：
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