銅回路接合基板及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119837
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311969
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】半導体素子やリードフレーム等のセラミック基材への実装時や使用時に、熱応力による基板の破損や反りを無くし、各接合部の接合強度を高めると共に、冷熱サイクルにおける信頼性が高い銅回路接合基板を提供する。【解決手段】セラミック基材1上に順に設けた、高融点金属層2と、融点が1000°C以下でニッケル、銅、鉄の少なくとも1種を主成分とする金属介在層3と、銅を主体とする導体層4とを備え、高融点金属層2と金属介在層3の接合界面における高融点金属と介在層金属の合金層の厚みが5μm以下で、導体金属と介在層金属との合金層の厚みが10μm以下である。導体層4の外周端縁は金属介在層3の外周端縁の内側に存在する。

請求項（抜粋）：

セラミック基材と、セラミック基材上に該基材側から順に設けた、主に高融点金属からなる高融点金属層と、融点が1000°C以下でニッケル、銅、鉄の少なくとも1種を主成分とする金属介在層と、銅を主体とする導体層とを備えた銅回路接合基板であって、前記高融点金属層と金属介在層の接合界面における高融点金属と介在層金属との合金層の厚みが5μm以下であることを特徴とする銅回路接合基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 , H05K 1/09 , H05K 3/38

FI (3件)：

H01L 23/14 M , H05K 1/09 C , H05K 3/38 C

Fターム (50件)：

4E351AA07 , 4E351AA09 , 4E351AA12 , 4E351BB30 , 4E351BB31 , 4E351BB33 , 4E351BB35 , 4E351BB36 , 4E351BB38 , 4E351CC12 , 4E351CC23 , 4E351CC31 , 4E351CC33 , 4E351DD04 , 4E351DD11 , 4E351DD14 , 4E351DD17 , 4E351DD19 , 4E351DD21 , 4E351DD52 , 4E351EE10 , 4E351EE11 , 4E351GG02 , 4E351GG04 , 4E351GG12 , 5E343AA02 , 5E343AA23 , 5E343AA39 , 5E343BB13 , 5E343BB14 , 5E343BB17 , 5E343BB18 , 5E343BB24 , 5E343BB35 , 5E343BB39 , 5E343BB40 , 5E343BB43 , 5E343BB44 , 5E343BB52 , 5E343BB67 , 5E343BB72 , 5E343BB73 , 5E343BB75 , 5E343BB77 , 5E343DD02 , 5E343DD64 , 5E343ER37 , 5E343ER39 , 5E343GG02 , 5E343GG16

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-336830 出願人：住友電気工業株式会社
特開平3-141662
特開昭60-197894

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