窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336830
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275166
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】半導体素子やリードフレーム等をAlN基材に実装する際に、従来のロウ付けや酸化銅共晶を用いた接合で発生していた基材の破損変形をなくし、高強度で接合された信頼性の高い半導体装置用部材を提供する。【解決手段】 AlN基材1上に、該基材1側から順に、主にWやMo等の高融点金属からなる高融点金属化層2と、融点が1000°C以下でNi、Cu、Feの少なくとも1種を主成分とする金属介在層3とを備え、金属介在層3上に銅を主体とする導体層4がロウ材層を介さず直接接合されている。この半導体装置用の部材5に、半導体素子8等を実装搭載して半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基材上に、該基材側から順に設けた、主に高融点金属からなる高融点金属化層と、融点が1000°C以下でニッケル、銅、鉄の少なくとも1種を主成分とする金属介在層とを備え、該金属介在層上に銅を主体とする導体層が接合されていることを特徴とする半導体装置用部材。

IPC (3件)：

H01L 23/15 , C04B 37/02 , H05K 1/09

FI (3件)：

H01L 23/14 C , C04B 37/02 B , H05K 1/09 C

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開昭58-048926
特開平2-046750
特開平3-150865

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審査官引用 (10件)

特開昭58-048926
特開昭58-048926
特開平2-046750

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