特許
J-GLOBAL ID：200903059390204442

半導体記憶装置

発明者：
菅原 寛

菅原 寛 について

, 
渡辺 一央

渡辺 一央 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-333761
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147015
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】消費電力を低減することができる半導体記憶装置を提供すること【解決手段】半導体記憶装置1は、メモリセル11につながるワード線SXに駆動電圧VXPG_ijを印加するワードドライバ20と、そのワードドライバ20に駆動電圧VXPG_ijを供給し、ワードドライバ20を構成するトランジスタ群のバックゲートに基板電圧VXPG_iを印加する内部電源回路30とを備える。内部電源回路30は、その駆動電圧VXPG_ijとその基板電圧VXPG_iを独立して制御する。具体的には、読み出し動作時、内部電源回路30は、基板電圧VXPG_iを常時供給し、駆動電圧VXPG_ijの供給のみをON/OFFする。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
メモリセルにつながるワード線に駆動電圧を印加するワードドライバと、 前記ワードドライバに前記駆動電圧を供給し、前記ワードドライバを構成するトランジスタ群のバックゲートに基板電圧を印加する内部電源回路とを備え、 前記内部電源回路は、前記駆動電圧と前記基板電圧を独立して制御することを特徴とする 半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C 16/06
FI (1件)：
G11C17/00 633B
Fターム (6件)：
5B125BA01 ,  5B125CA04 ,  5B125EC02 ,  5B125EC06 ,  5B125EG02 ,  5B125EG15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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