特許
J-GLOBAL ID：200903059416598916
半導体薄膜の製造方法および半導体磁気抵抗素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231576
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074709
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 従来、回転,変位検出には、半導体薄膜磁気抵抗素子が多用されてきたが、高温用途に用いる場合に、十分な信頼性と特性を有するものを作成することが、難しかった。本発明は、良好な特性を有し、十分な信頼性を有する半導体薄膜および半導体薄膜磁気抵抗素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁性基板,半絶縁性基板,表面絶縁化基板,半導体基板等の基板上に、層状構造結晶材料層2としてセレン化ガリウム層を形成し、この上に高電子移動度の半導体薄膜3(InSb薄膜)を形成する。【効果】 セレン化ガリウム層の結晶は層状構造を有するため基板面方向に十分結晶が伸びており、この上に配向する形でInSb薄膜が成長するため、結晶性が改善され、また層間密着性も良好である。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板,半絶縁性基板,表面絶縁化基板,半導体基板等の基板上に層状構造の結晶性を有する材料層を形成し、さらにこの材料層上に半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/203
, H01L 21/20
, H01L 21/36
, H01L 29/04
, H01L 43/08
