特許

J-GLOBAL ID：200903059450891339

有機強誘電体メモリ及びその製造方法

発明者： 平井 栄樹 ,  柄沢 潤一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (4件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  伊奈 達也 ,  竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-072578
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261178
出願日： 2005年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 小型化・大容量化及び製造プロセスの容易化を実現することにある。【解決手段】 有機強誘電体メモリ1000は、第1の薄膜トランジスタ110を含む駆動回路部180と、ソース・ドレイン電極140,142、有機半導体層144、ゲート絶縁層146及びゲート電極148を有する第2の薄膜トランジスタ150と、下部電極162、有機強誘電体層164及び上部電極166を有し、かつソース・ドレイン電極140,142のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタ160と、を含むメモリセル部182と、を含む。メモリセル部182は、駆動回路部180の上方に積層されている。【選択図】 図21

請求項（抜粋）：

第1の薄膜トランジスタを含む駆動回路部と、 ソース・ドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する第2の薄膜トランジスタと、下部電極、有機強誘電体層及び上部電極を有し、かつ前記ソース・ドレイン電極のいずれか一方に電気的に接続されている強誘電体キャパシタと、を含むメモリセル部と、 を含み、 前記メモリセル部は、前記駆動回路部の上方に積層されている、有機強誘電体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B

Fターム (69件)：

5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA10 ,  5F083GA29 ,  5F083HA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA33 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F110AA16 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-042783   出願人：オリンパス光学工業株式会社