特許
J-GLOBAL ID：200903059458083479

半導体キャパシタ

発明者：
北村 康宏

北村 康宏 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261416
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】 絶縁膜の耐圧歩留まりの低下を防げ、また、絶縁膜の寿命の低下を防止できる半導体キャパシタを提供する。【解決手段】 半導体キャパシタ1において、トレンチ5の平面レイアウトを開放端が無い閉ループとなる環状の正方形とする。これにより、トレンチ5形成の際にトレンチ構造部への応力集中等が緩和され、半導体基板2に結晶欠陥が発生することが防止される。このため、半導体基板2の表面に形成される絶縁膜6の耐圧歩留まりの低下を防げ、また、絶縁膜6の寿命の低下を防止できる半導体キャパシタ1とすることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板(2)のアクティブ領域(4)における表面にトレンチ(5)を形成すると共に、該トレンチ(5)を含む前記半導体基板の表面に絶縁膜(6)を形成し、かつ、該絶縁膜(6)の表面に電極(7)を形成することで、前記絶縁膜(6)の両側に位置する前記電極(7)と前記半導体基板(2)とによりキャパシタ(1)を構成してなるトレンチ構造の半導体キャパシタであって、 前記トレンチ(5)の平面レイアウトは、閉ループとなる環状とされていることを特徴とするトレンチ構造の半導体キャパシタ。
IPC (6件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762
FI (5件)：
H01L27/04 C ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 F ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 L
Fターム (12件)：
5F032AA06 ,  5F032AA35 ,  5F032CA14 ,  5F032DA71 ,  5F038AC03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC14 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • データ書換システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-042141   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (7件)
  • 特開昭59-158549
  • 特開平2-035770
  • 特開昭61-002353
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