特許
J-GLOBAL ID：200903059460144868
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097135
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291160
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 絶縁被覆ボンディング細線を使用して製造した半導体装置を提供する。【構成】 絶縁被覆ボンディング細線1を使用してボール・スティッチボンディングされたスティッチボンディング部を、導電性樹脂5もしくは金属により補強接着して構成されている半導体装置である。また金属による補強接合は、ボールボンディングと同様の方法で、スティッチボンディング上に再度ボールをボンディングすることが、生産性も高く、安定した補強接合方法である。また、同一ライン上に2台のボンディングヘッドを配置し、被覆細線の接合を第1のボンディングヘッドで、補強接合を第2のボンディングヘッドで実施することにより、生産効率、補強接合の信頼性を向上させた。また補強接合する場合でも被覆細線の連続ボンディング中に接合不良が発生してはならないので、最適な絶縁被覆の厚みは0.1μm以上で、導電性の直径の1/10以下が好ましい。
請求項（抜粋）：
導電線に絶縁被覆を施したボンディング細線と基板電極部あるいはリード部のスティッチボンディング部を導電性樹脂もしくは金属により補強接着して構成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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