特許
J-GLOBAL ID：200903059479770158
化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027636
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない窒化物系化合物半導体膜を形成することができ、発光素子の信頼性向上をはかる。【解決手段】 窒化物系化合物半導体結晶を用いた化合物半導体発光ダイオードにおいて、結晶性基板としてAlN配向性多結晶基板11を用い、この基板11上にn型GaN層12とp型GaN層13を成長形成し、各層12,13にIn膜14,15からなるオーミック電極を形成している。
請求項（抜粋）：
配向性多結晶からなる結晶性基板と、この基板上に成長形成された窒化物系化合物半導体膜とを具備してなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 A
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01S 3/18
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (2件)
前のページに戻る
