ワイヤボンディング用ターミナル及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289975
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】ターミナルにニッケルめっきを施す場合に、耐久性が向上し且つコストが高くなることなくワイヤボンディングに適しためっきの平坦性を得ることができると共に生産性を向上できるようにする。【解決手段】ターミナル素材にニッケルめっきする際に、光沢剤は硫黄分を含むことから使用しないようにした。また、生産性の向上から、ターミナル素材に連続的にニッケルめっきを施すには、スルファミン酸浴が適していることから、光沢剤を使用しないスルファミン酸浴によりニッケルめっきを施す。ここで、ニッケルめっきされたターミナルにワイヤボンディングを確実に行うには、実験結果から、ニッケル膜の面粗度が0.6μmRz以下とすることが必要であることが分った。そこで、光沢剤を使用しないスルファミン酸浴によるニッケルめっきを施す際に電流密度を所定値に制御した状態で行うことにした。

請求項（抜粋）：

光沢剤を用いないニッケルめっき処理によりニッケル膜が形成されたターミナルであって、前記ニッケル膜は、面粗度がワイヤボンディングに適した0.6μmRz以下となる厚さ寸法以上で且つ金型加工が可能な厚さ寸法以下となるように形成されていることを特徴とするワイヤボンディング用ターミナル。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 23/50 S , H01L 21/60 301 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-035950
特開昭58-035950
半導体装置用リードフレーム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-201652 出願人：株式会社神戸製鋼所

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