特許

J-GLOBAL ID：200903059490830499

結晶欠陥検出方法およびその装置

発明者： 古川 純 ,  小川 智哉 ,  南郷 脩史
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  ラトックシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220002
公開番号（公開出願番号）：特開平7-072092
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 全反射を利用して結晶表面近傍に存在する結晶欠陥を検出するようにした結晶欠陥検出方法に関し、VLSIなどの製造上最も重要である結晶表面近傍の結晶欠陥の深さ方向の位置検出精度を高め、結晶表面近傍の結晶欠陥を確実かつ精度良く検出することのできる欠陥検出方法を提供することを目的とする。【構成】 結晶表面2で全反射するように赤外線レーザービームBを結晶側壁面5から結晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面2の全反射点位置に存在する結晶欠陥dからの赤外線レーザービームBの散乱光を当該赤外線レーザービームの走査面と直交する側に配置した観測光学系3,4で検出することにより、結晶表面近傍の結晶欠陥を検出するようにした。

請求項（抜粋）：

結晶表面で全反射するように赤外線レーザービームを結晶側壁面から結晶内に向けて所定の入射角で入射し、結晶表面の全反射点位置に存在する結晶欠陥からの赤外線レーザービームの散乱光を当該赤外線レーザービームの走査面と直交する側に配置した観測光学系で検出することにより結晶表面近傍の結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥検出方法。

IPC (2件)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-012254
  
• 結晶欠陥検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-312844   出願人：株式会社東芝
• 特開平1-151243
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-012254
  
• 結晶欠陥検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-312844   出願人：株式会社東芝