特許

J-GLOBAL ID：200903059491406143

撮像素子及びその製造方法

発明者： 西牧 真木夫
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106280
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281240
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】入射光を効率よく光電変換部の受光領域へ到達させることが可能となる撮像素子及びその製造方法を得、撮像素子の感度を向上させる。【解決手段】基板21上に形成された光電変換部53と、光電変換部53の受光領域に開口61を有する遮光膜51とを有する撮像素子100であって、少なくとも遮光膜51の光電変換部53側の開口側壁63a,63b,63cに、遮光膜51よりも反射率が高い反射膜65を形成し、この反射膜65を、遮光膜51の開口部内に形成される入射光の透光路59に対して露出させた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部の受光領域に開口を有する遮光膜とを有する撮像素子であって、 少なくとも前記遮光膜の前記光電変換部側の開口側壁に、前記遮光膜よりも反射率が高い反射膜が形成され、該反射膜が、前記遮光膜の前記開口内に形成される入射光の透光路に対して露出している撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (26件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DA18 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GB18 ,  4M118GB19 ,  4M118GB20 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118GD14 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-130855   出願人：松下電子工業株式会社