特許
J-GLOBAL ID:200903059504919080

パターン修正方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡本 啓三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-126052
公開番号(公開出願番号):特開平9-311434
出願日: 1996年05月21日
公開日(公表日): 1997年12月02日
要約:
【要約】【課題】フォトマスク上に形成したマスクパターンの欠陥等を修正し、正常なマスクパターンとするフォトマスクのパターン修正方法に関し、フォトマスク上のパターンの修正により生じる透明基板の表面の凹凸や透明基板の厚さの変動を抑制する。【解決手段】遮光膜のパターン12を透明基板11上に形成した後に透明基板11上に不要な遮光膜残さ13があるとき、パターン12及び遮光膜残さ13で覆われていない部分の透明基板の表層14をエッチングし、その表面を後退させる工程と、遮光膜残さ13を除去する工程と、遮光膜残さ13を除去した跡の透明基板の表層11aを部分的に除去してその表面を後退させ、表面の高さとエッチングにより後退させた表面の高さとをほぼ一致させる工程とを有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
遮光膜のパターンを透明基板上に形成した後に該透明基板上に不要な遮光膜残さがあるとき、前記パターン及び前記遮光膜残さで覆われていない部分の透明基板をエッチングし、その表面を後退させる工程と、前記遮光膜残さを除去する工程と、前記遮光膜残さを除去した跡の透明基板の表層を部分的に除去してその表面を後退させ、該表面の高さと前記エッチングにより後退させた表面の高さとをほぼ一致させる工程とを有することを特徴とするパターン修正方法。
IPC (2件):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 1/08 V ,  H01L 21/30 502 W
引用特許:
出願人引用 (4件)
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