特許

J-GLOBAL ID：200903059509177872

固体撮像素子

発明者： 成井 禎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (2件)： 渡辺 隆男 ,  大澤 圭司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-303749
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115787
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】長波長帯の光によって光電変換された電荷を入射した画素の電荷蓄積部に捕捉し、以って信号出力を増大させる固体撮像素子を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像素子は、第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に配置される第2導電型の第2半導体層と、カラーフィルタを少なくとも有する複数の光電変換部と、前記第2半導体層の内部に配置され、少なくとも最も長波長の色に対応する入射光を透過する前記カラーフィルタを有する光電変換部の下に前記第2半導体層を介して設けられ、前記第2半導体層より不純物濃度が高濃度である前記第2導電型のポテンシャル制御層とを備える。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体層と、 前記第1半導体層の上に配置される第2導電型の第2半導体層と、 前記第2半導体層に配置され光電変換された電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に対応して配置され所定の色に対応する波長の入射光を透過するカラーフィルタとを少なくとも有する複数の光電変換部と、 前記第2半導体層の内部に配置され、少なくとも最も長波長の色に対応する入射光を透過する前記カラーフィルタを有する光電変換部の下に前記第2半導体層の一部を介して設けられ、前記第2半導体層より不純物濃度が高濃度である前記第2導電型のポテンシャル制御層とを備えることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (13件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA32 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-361089   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-313674   出願人：株式会社東芝