特許
J-GLOBAL ID:200903059523692771
表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅川 哲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-114819
公開番号(公開出願番号):特開平10-308535
出願日: 1997年05月02日
公開日(公表日): 1998年11月17日
要約:
【要約】【課題】 表面実装型発光ダイオードにおいて、発光ダイオード素子から出た光の集光性を高めることで、高出力の発光を得るようにする。【解決手段】 基板21の上面に形成されたダイボンド電極パターン27上に内壁面26が外側へ傾斜した凹部22を設け、この凹部22内に発光ダイオード素子23を配置すると共に、その上方を半球形状の透光性樹脂体24によって封止することによって、発光ダイオード素子23から発した光を凹部22の内壁面26で反射させて上方に向かわせ、更にその反射光をレンズ状の透光性樹脂体24によって集光して、光出力の強い発光を得る。
請求項(抜粋):
基板の上面にダイボンド電極パターンとセカンド電極パターンとを設け、ダイボンド電極パターンの上に導電性接着剤によって発光ダイオード素子を固着すると共に、発光ダイオード素子と前記セカンド電極パターンとをボンディングワイヤによって接続し、発光ダイオード素子及びボンディングワイヤを透光性樹脂体によって封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記基板の上面に形成されたダイボンド電極パターン上に内壁面が外側へ傾斜した凹部を設け、この凹部内に発光ダイオード素子を配置すると共に、その上方を半球形状の透光性樹脂体で封止したことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体発光装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-211152
出願人:サンケン電気株式会社
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光源装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-003308
出願人:株式会社ニコン
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発光ダイオード及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-337484
出願人:松下電工株式会社
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発光ダイオード装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-188609
出願人:ローム株式会社
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特開平4-345073
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特開昭60-110180
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