特許

J-GLOBAL ID：200903059563504250

半導体装置及び表示装置

発明者： 平野 貴一 ,  曽谷 直哉 ,  山路 敏文 ,  森本 佳宏 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205073
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107108
出願日： 1996年08月02日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 熱処理の際の基板の変形を防止すること。【解決手段】 ガラス基板1とTFT(A)との間にWSi2膜2を形成する。このWSi2膜2は、不純物活性化の際のRTAの熱を吸収する作用があり、多結晶Si膜4を、RTAによる熱とWSi2膜2からの放射熱により、直接及び間接的に加熱することにより、多結晶Si膜4全体を均一に加熱し、不純物の活性化がバラツクことなく良好に行われるようにする。そして、このWSi2膜2の面積を、画素部19に位置するものより周辺駆動回路部23に位置するものの方が大きくなるように調整する。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の半導体素子を集積させたものであって、前記各半導体素子が前記基板と半導体素子との間に設けられた熱吸収膜を有し前記基板上における前記半導体素子の分布状態にあわせて、半導体素子が相対的に多く密集している個所の前記各半導体素子に対する前記熱吸収膜による熱吸収効果を相対的に低下させ、前記半導体素子が相対的に少ない個所の前記各半導体素子に対する前記熱吸収膜による熱吸収効果を相対的に増加させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/90 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 液晶表示パネル及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-218584   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭59-110114
  
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-187907   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-194626