パワー半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-297334
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117825
出願日： 2006年11月01日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：

【課題】信頼性が高いパワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】パワー半導体デバイス11において、リードフレーム2上に半導体チップ4が搭載されている。半導体チップ4の表面にはソース電極4sが形成されている。また、ソース電極4s上には薄い導電性リボン6が設けられており、超音波ボンディングによりソース電極4sに接合されている。その上には、導電性リボン6よりも厚い導電性リボン8が設けられており、ソース電極4sとの間に導電性リボン6を挟むように、超音波ボンディングにより導電性リボン6に接合されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に電極が設けられた半導体チップと、表面が前記電極の表面に接合された第1の導電性リボンと、前記第1の導電性リボンよりも厚く、前記電極との間に前記第1の導電性リボンを挟むように前記第1の導電性リボンに接合された第2の導電性リボンと、を備えたことを特徴とするパワー半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/60 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L21/60 321E , H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

リボンボンディング
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-134679 出願人：オーソダインエレクトロニクスコーポレイション

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