特許
J-GLOBAL ID：200903059589920007
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007048
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255932
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電流の小さい半導体レーザを提供する。【解決手段】 LiTaO3基板201上にAlN層202、n-AlzGa1-zN層203、AlyGa1-yN 第1光ガイド層204、InxGa1-xN/GaN多重量子井戸活性層205、AlyGa1-yN 第2光ガイド層206、p-AlzGa1-zNクラッド層207を連続的に形成する。エッチングによりリッジストライプ208を形成し、SiO2絶縁膜209を堆積した後、電流注入のためにSiO2絶縁膜209に開口部210および211を形成する。最後にアノード電極212およびカソード電極213を形成する。このウルツ鉱型InGaN/AlGaN量子井戸半導体レーザを構成する層構造は組成、材料により成長温度が異なる場合が多いが、800〜1100°Cの範囲で作製される。したがって成長終了後に室温に戻された結晶には基板との熱膨張係数差によって歪が発生する。この歪により、半導体レーザのしきい値電流が小さくなる。
請求項（抜粋）：
c軸方向に成長させた活性層を有し、前記活性層が六方晶化合物半導体であり、かつ、前記活性層のc面内に、等方的でない歪が入っている半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01L 21/302 J
