多孔質膜の堆積方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-527982
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511136
出願日： 2005年08月16日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】基板上に多孔質膜を堆積させる処理方法を提供する。【解決手段】多孔質シリカ膜及びドープシリカ膜を堆積させる処理方法。本方法は、循環方式を用い、各サイクルは、最初にシリカをシリコンと共に共堆積させる段階と、次に選択的にシリコンを除去して多孔質構造体を形成する段階とを含む。好ましい実施形態では、共堆積は、プラズマ強化化学気相蒸着によって行われる。反応剤給送流れは、共堆積反応剤と選択的シリコン除去反応剤との混合物を含む。RF電力変調を使用して、共堆積段階及び選択的シリコン除去段階を制御し、後者は、RF電力が切られるか又は低レベルに低減される度に進行する。本発明を用いて、高度に均一な小さな孔隙及び望ましい空隙率プロフィールを有する多孔質膜を取得することができる。本方法は、半導体集積回路製造のための広範囲の低-k誘電体を形成するのに有利である。本方法はまた、他の用途のための他の多孔質膜を形成するのにも有利である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の処理サイクルを含む、基板上にホストマトリックス材料の多孔質膜を堆積させる方法であって、各サイクルが、ホストマトリックス材料をシリコンと共に共堆積させる段階と、共堆積の後に、共堆積物内の前記シリコンが選択的シリコン除去反応剤により選択的に化学的に除去されて該共堆積物に孔隙が形成されるように、該共堆積物を少なくとも1つの選択的シリコン除去反応剤を含む反応雰囲気に露出する段階と、を含み、それによって前記共堆積段階及び前記選択的シリコン除去段階の実行の反復が、多孔質膜の厚みを増大させる、ことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 21/312 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (3件)：

H01L21/316 X , H01L21/312 C , H01L21/90 N

Fターム (49件)：

5F033QQ25 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR02 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS07 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW05 , 5F033WW07 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BF02 , 5F058BF11 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許第6,271,273号
米国特許第6,451,712号
米国特許第6,054,206号

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審査官引用 (1件)

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-325379 出願人：東京エレクトロン株式会社

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