特許
J-GLOBAL ID：200903089932385780

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置

発明者：
柏木 勇作

柏木 勇作 について

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香川 恵永

香川 恵永 について

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川村 剛平

川村 剛平 について

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鄭 基市

鄭 基市 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325379
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158794
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】均一に空孔を形成できる絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置を提供する。【解決手段】1,3,5-トリメチル1,3,5-トリビニルシクロトリシロキサン(V3D3)とイソプロピルアルコール(IPA)とをチャンバ12内に供給し、プラズマによりこれらを励起してこれらの化合物の分子状の活性種を発生させる。これらの活性種を基板の表面近傍で反応させ、例えば、IPA分子を含む厚さ50nmの絶縁膜の薄膜を形成する。さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるIPA分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。この成膜工程と空孔形成工程とを複数回繰り返して、所定厚さで、且つ、均一に空孔が形成された絶縁膜を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン化合物の構造中に所定の有機化合物分子が取り込まれて構成される絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップと、 前記絶縁膜形成ステップにて形成した絶縁膜中の有機化合物分子が選択的に脱離するように、前記絶縁膜をアニールするアニールステップと、 を備え、 前記絶縁膜形成ステップと前記アニールステップとを、交互に繰り返して所定厚さの絶縁膜を形成する、 ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44
FI (3件)：
H01L21/316 P ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 A
Fターム (15件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030DA09 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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