特許

J-GLOBAL ID：200903059611929994

半導体装置

発明者： 岩崎 貴之 ,  大野 俊之 ,  八尾 勉 ,  菅原 良孝 ,  浅野 勝則 ,  林 智基
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  関西電力株式会社
代理人 (1件)： 笹岡 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140546
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330496
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 SiCなどのワイドギャップ半導体材料において、保護膜として用いた絶縁膜の破壊を防ぎ、高い耐圧を達成することにある。【解決手段】 半導体基板の一方の主表面50と、一方の主表面側に接する表面を持つn~型の第一の半導体領域2と、一方の主表面より第一の半導体領域内に延びるp型の第二の半導体領域3と、第二の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面に露出しないp型の第三の半導体領域5と、他方の主表面51に形成された主電極9と、第二の半導体領域に低抵抗接触した主電極8と、第二の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面より第一の半導体領域上に延びる絶縁膜20を備えた半導体装置において、絶縁膜と接し、絶縁膜と第三の半導体領域間の第一の半導体領域に高抵抗領域21を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の主表面と、前記一方の主表面側に接する表面を持つ第一導電型の第一の半導体領域と、前記一方の主表面より第一の半導体領域内に延びる第二導電型の第二の半導体領域と、第二の半導体領域を囲むように形成され、前記一方の主表面に露出しない第二導電型の第三の半導体領域と、前記他方の主表面に形成された第一の主電極と、第二の半導体領域に低抵抗接触した第二の主電極と、第二の半導体領域を囲むように形成され、前記一方の主表面より第一の半導体領域上に延びる絶縁膜を備えた半導体装置において、絶縁膜と接し、絶縁膜と第三の半導体領域間の第一の半導体領域に高抵抗領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (6件)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 F ,  H01L 29/80 V