基板処理装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084951
公開番号（公開出願番号）：特開2001-271188
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハ等の基板を能率良く処理できる装置を提供する。【解決手段】基板処理装置10は、多数枚のウェーハWを収容する処理槽11と、処理槽11に薬液や純水等の処理液を供給する処理液供給系配管24と、排出系配管65を含んでいる。内槽15の内側面とウェーハWとの間の距離は、ウェーハWのピッチと同等である。処理槽11は内槽15と外槽16とを有している。内槽15の底部に処理液供給部20と処理液排出部50が互いに別々の位置に設けられている。処理液供給部20に処理液供給管23が接続されている。処理液排出部50に内槽廃液管52が接続されている。外槽16の底部に設けたドレイン用排出部60に外槽廃液管63が接続されている。処理液供給管23と外槽廃液管63とは、開閉弁71とバイパス管70を備えた配管洗浄系72によって互いに接続され、必要に応じて純水を流すことができるようにしている。

請求項（抜粋）：

処理すべき複数枚の基板を互いに等ピッチで平行かつ垂直な姿勢で支持する支持手段と、前記支持手段によって支持された基板の集合体を収容する処理槽と、前記基板の集合体の下方から前記処理槽の内部に処理液を供給する処理液供給部とを有し、前記処理槽の内側面と前記基板集合体との間の距離を、各基板のピッチと同等としたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

C23G 3/00 , B08B 3/04 , C23F 1/08 , H01L 21/304 642 , H01L 21/306

FI (5件)：

C23G 3/00 Z , B08B 3/04 Z , C23F 1/08 , H01L 21/304 642 A , H01L 21/306 J

Fターム (60件)：

3B201AA03 , 3B201AB08 , 3B201AB44 , 3B201BB04 , 3B201BB82 , 3B201BB89 , 3B201BB92 , 3B201BB93 , 3B201BB94 , 3B201BB95 , 3B201BB96 , 3B201CB12 , 3B201CC01 , 3B201CC11 , 3B201CD11 , 3B201CD24 , 4K053PA01 , 4K053PA13 , 4K053QA04 , 4K053QA07 , 4K053RA04 , 4K053RA07 , 4K053RA08 , 4K053RA13 , 4K053RA15 , 4K053RA17 , 4K053RA19 , 4K053RA21 , 4K053RA33 , 4K053RA52 , 4K053RA64 , 4K053SA06 , 4K053SA19 , 4K053TA17 , 4K053TA18 , 4K053XA08 , 4K053XA11 , 4K053XA24 , 4K053XA46 , 4K053YA18 , 4K057WA01 , 4K057WA10 , 4K057WB06 , 4K057WE03 , 4K057WE07 , 4K057WE08 , 4K057WE23 , 4K057WE25 , 4K057WM03 , 4K057WM17 , 4K057WM18 , 4K057WN01 , 5F043AA01 , 5F043AA29 , 5F043DD23 , 5F043EE01 , 5F043EE11 , 5F043EE28 , 5F043EE35 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

脱脂洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211440 出願人：豊菱産業株式会社
洗浄方法及びその装置並びに移載装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019822 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
処理液の秤量・供給方法及び処理液の秤量装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-201908 出願人：ソニー株式会社

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