半導体素子の金属配線形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305500
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139360
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、コンタクト抵抗を低減させ工程収率及び素子動作の信頼性を向上させることができる半導体素子の金属配線形成方法を提供することにその目的がある。【解決手段】本発明に伴う半導体素子の金属配線形成方法は、半導体基板を提供する工程と前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に多結晶シリコン層と金属シリサイド層でなる下側配線を形成する工程と、前記下側配線上に前記金属シリサイド層の一部分を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクトホールを介し前記下側配線の金属シリサイド層の露出した表面に不純物をイオン注入して非晶質化させる工程と、前記金属シリサイド層の非晶質化した部分を熱処理して結晶化させる工程と、前記下側配線の金属シリサイド層の結晶窒化した部分上に上側配線を形成する工程を含んでなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を提供する工程;前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程;前記絶縁膜上に多結晶シリコン層と金属シリサイド層でなる下側配線を形成する工程;前記下側配線上に前記金属シリサイド層の一部分を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程;前記コンタクトホールを介し前記下側配線の金属シリサイド層の露出した表面に不純物をイオン注入して非晶質化させる工程;前記金属シリサイド層の非晶質化した部分を熱処理して結晶化させる工程;前記下側配線の金属シリサイド層の結晶窒化した部分に、上側配線を形成する工程を含んでなる半導体素子の金属配線形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-281351
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211492 出願人：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-317005 出願人：日本電気株式会社

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