特許

J-GLOBAL ID：200903078158588522

半導体装置およびその製造方法

発明者： 村尾 幸信
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317005
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163723
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】微細化された半導体素子を有する半導体装置に適した層間絶縁膜を提供する。【構成】半導体素子がノンドープのCVDシリコン酸化膜110により覆われ、この上にBPSG膜120,オゾン・テオスNSG膜130a,およびオゾン・テオスNSG膜131からなる層間絶縁膜が形成されている。このBPSG膜120の膜厚は50nm以上,200nm以下であり、このBPSG膜120は700°C以上,800°C以下の温度で熱処理される。上記オゾン・テオスNSG膜130a,131も、それぞれ700°C以上,800°C以下の温度で熱処理さる。

請求項（抜粋）：

高融点導電体材料からなる下層配線層とアルミニウム系金属膜からなる上層配線との間の層間絶縁膜が、少なくともBPSG膜および該BPSG膜上に積層されたオゾンとテトラ・エトキシ・シランとの化学気相反応によるノンドープのシリコン酸化膜を含む表面が平坦化された層間絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-243553
  
• 特開平1-228135
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270832   出願人：松下電器産業株式会社