特許
J-GLOBAL ID:200903059684318160
高出力LEDパッケージ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (10件):
萼 経夫
, 宮崎 嘉夫
, 舘石 光雄
, 小野塚 薫
, 田上 明夫
, ▲高▼ 昌宏
, 中村 壽夫
, 加藤 勉
, 村越 祐輔
, 小宮 知明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-168509
公開番号(公開出願番号):特開2005-354067
出願日: 2005年06月08日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】LEDの駆動時に発生する熱を効率的に放熱させる高出力パッケージを提供する。【解決手段】LED401;フリップチップ・ボンディングを形成したシリコン・サブマウント402;シリコン・サブマウントの上部に形成され、LEDに電気的に接続されてLEDから発光する光の効率を高めるための反射膜;反射膜に接続されて外部回路に接続するための電気配線412;シリコン・サブマウント402の下部に形成する絶縁体403;絶縁体の下部に形成する放熱基板409;放熱基板409の上部に形成される絶縁基板407;および絶縁基板上に形成されて電気配線406に接続される金属配線412を含む。LED401がボンディングされるシリコン・サブマウント402を放熱基板409と直接接合してパッケージすることによって、LEDの放熱特性を改善する。【選択図】 図 3
請求項(抜粋):
LED;
フリップチップ・ボンディングを形成したシリコン・サブマウント;
前記シリコン・サブマウントの上部に形成され、前記LEDに電気的に接続されて前記LEDから発光する光の効率を高めるための反射膜;
前記反射膜に接続されて外部回路に接続するための電気配線;
前記シリコン・サブマウントの下部に形成する絶縁体;
前記絶縁体の下部に形成する放熱基板;
前記放熱基板の上部に形成される絶縁基板;および
前記絶縁基板上に形成されて前記電気配線に接続される金属配線を含んでいることを特徴とする高出力LEDパッケージ。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (16件):
5F041AA04
, 5F041AA23
, 5F041AA33
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA19
, 5F041DA32
, 5F041DA35
, 5F041DA36
, 5F041DB09
, 5F041DC08
, 5F041DC26
, 5F041EE11
, 5F041EE23
, 5F041FF11
, 5F041FF16
引用特許:
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