特許

J-GLOBAL ID：200903059698987472

現像処理方法及び現像処理装置

発明者： 長峰 秀一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339163
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151376
出願日： 2000年11月07日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 ウェハへの不純物の付着を抑制しつつ,ウェハ表面の温度分布を維持するように気流の制御を実施し得る現像処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWの周囲を囲むカップ65のカップ側部66とカップ底部67との間に隙間73を設ける。カップ側部66には,カップ側部66を上下動可能とする昇降機構69を設け,隙間73の広狭を調節可能とする。カップ65内に,ケーシング18a内に供給される上方からのエアを排気する排気管71を設ける。隙間73の広狭を調節することによって,隙間73を流れるエアの流量を調節でき,結果的に上方から直接カップ65内に流れるエアとカップ65外に流れるエアの流量を調節できる。これによって,不純物が浮遊する場合には,直接カップ65内に流れ込むエアを強し,ウェハWの表面温度を維持したい場合には,カップ65外に流れるエアを強くする。

請求項（抜粋）：

ケーシング内で基板を現像処理する現像処理方法であって,基板上方から気体を供給する工程と,前記ケーシング内であって基板の外周を囲む容器内に流入する気体と前記容器外に流れる気体とを前記ケーシング外に排気する工程と,前記容器内に流入する気体の第1の流量と,前記容器外に流れる気体の第2の流量とを調節する工程とを有することを特徴とする,現像処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/30 502

FI (2件)：

G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 569 C

Fターム (9件)：

2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096GA02 ,  2H096GA29 ,  2H096GA33 ,  5F046LA04 ,  5F046LA05 ,  5F046LA06 ,  5F046LA07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248213   出願人：大日本スクリーン製造株式会社