微粒子の選択的堆積方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045528
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】微粒子を基板上の必要な部位に選択的に堆積させることによって、従来困難だった微粒子膜の微細加工工程を省くことができる微粒子の選択的堆積方法を提供する。【構成】絶縁物から成る基板2上の微粒子を堆積させたい部位に凸部2aを形成しておき、この基板2上にプラズマCVD法によって微粒子を堆積させる。この方法によれば、プラズマ32中で作られる微粒子は負に帯電しているのに対して、プラズマ32に曝される基板2上の凸部2aは正に帯電するので、両チャージの吸引作用により、微粒子を、基板2上の凸部2a上に選択的に堆積させることができる。その結果、従来困難だった微粒子膜の微細加工工程を省くことができる。

請求項（抜粋）：

絶縁物から成る基板上の微粒子を堆積させたい部位に凸部を形成しておき、この基板上にプラズマCVD法によって微粒子を堆積させることを特徴とする微粒子の選択的堆積方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-320332
プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-087571 出願人：日本真空技術株式会社
特開昭63-043329

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