有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：寺山啓進 , 三好広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-089211
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266298
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】ソース電極、又は、ドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗を低減し、有機半導体層の寿命を延ばす有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機トランジスタの製造方法は、ソース電極30と、ドレイン電極40と、ソース電極30とドレイン電極40との間に電子又は正孔を流す経路となる有機半導体層60とを備える有機トランジスタの製造方法であって、基板100上に、無機材料からなるソース電極30と、無機材料からなるドレイン電極40とを形成する工程と、ソース電極30、又は、ドレイン電極40の少なくともいずれかの表面にドーピングされた有機材料からなる中間層を形成する工程と、中間層の表面の一部に、有機半導体層60を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

無機材料からなるソース電極と、無機材料からなるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に電子又は正孔を流す経路となる有機半導体層とを備える有機トランジスタの製造方法であって、基板上に、前記ソース電極と、前記ドレイン電極とを形成する工程と、前記ソース電極、又は、前記ドレイン電極の少なくともいずれかの表面に、ドーピングされた有機材料からなる中間層を形成する工程と、前記中間層の表面の一部に、前記有機半導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする有機トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L21/28 301B , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/78 627C

Fターム (37件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110EE09 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HM12

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機薄膜電界効果トランジスターおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-092708 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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