シリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-241174
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】基板上に形成されたシリコン酸化膜上に連続して形成される透明導電膜の抵抗率を低くする。【構成】基板上に形成され、透明導電膜と接するシリコン酸化膜の形成を、石英ターゲットを用い、O2、H2O、O2とH2のうちいずれか1つを含むガス雰囲気中でスパッタ法により行うか、或いはシリコンターゲットを用い、O2とH2O或いはO2とH2を含むガス雰囲気中でスパッタ法により行う。

請求項（抜粋）：

スパッタ法で基板上にシリコン酸化膜を形成し、該シリコン酸化膜上にIn-O系或いはIn-Sn-O系透明導電膜を連続的に形成する方法において、シリコン酸化膜をO2、H2O、O2とH2のうちいずれか1つを含むガス雰囲気中で石英ターゲットのスパッタ法により形成することを特徴とするシリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法。

IPC (5件)：

G02F 1/1343 , C23C 14/08 , G02F 1/136 500 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-130409
特開平1-301851
特開平3-064450

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審査官引用 (6件)

特開平1-130409
特開昭64-013120
特開平1-301851

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