モジュール用基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221523
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037224
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】放熱板の熱伝導率が充分に高く、放熱板と絶縁性基板との接着強度にも優れ、かつ、半導体素子の冷却効率に優れるため、発熱量の大きい半導体素子を搭載するための基板に好適に用いることができるモジュール用基板を提供すること。【解決手段】一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、上記絶縁性基板の他の主面に接着層を介して接合された放熱板とを含む、半導体素子を搭載するためのモジュール用基板であって、上記放熱板は、常温〜300°Cにおける熱伝導率が100W/m・K以上の金属又は合金からなり、上記放熱板の前記接着層との界面に粗化面が形成されているとともに、その内部に冷却媒体を循環させるための流路が設けられていることを特徴とするモジュール用基板。

請求項（抜粋）：

一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、前記絶縁性基板の他の主面に接着層を介して接合された放熱板とを含む、半導体素子を搭載するためのモジュール用基板であって、前記放熱板は、常温〜300°Cにおける熱伝導率が100W/m・K以上の金属又は合金からなり、前記接着層との界面に粗化面が形成されるとともに、その内部に冷却媒体を循環させるための流路が設けられていることを特徴とするモジュール用基板。

IPC (4件)：

H01L 23/36 , H01L 23/373 , H01L 23/40 , H01L 23/473

FI (4件)：

H01L 23/40 F , H01L 23/36 C , H01L 23/46 Z , H01L 23/36 M

Fターム (5件)：

5F036AA01 , 5F036BA05 , 5F036BB08 , 5F036BD01 , 5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (15件)

インバータ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-152898 出願人：株式会社日立製作所
AlN回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-053530 出願人：株式会社東芝
特開平3-234045

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