半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229130
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074834
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】配線層上の層間絶縁膜をバイアス・スパッタ法あるいはバイアスCVD法等で形成する場合に、線幅の広い配線層上の層間絶縁膜上に凸部が発生せず完全平坦化できる方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に第1の層間絶縁膜を介して配線層が形成され、さらに前記配線層上に第2の層間絶縁膜が形成されている多層配線構造において、前記配線層の膜厚より線幅の広い前記配線層が前記膜厚より狭い線幅を有する配線パターンに分割され、前記線幅の広い配線層は前記配線パターンの集合体で構成されるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の層間絶縁膜を介して配線層が形成され、さらに前記配線層上に第2の層間絶縁膜が形成されている配線の構造において、前記配線層の膜厚より線幅の広い配線層が前記膜厚より狭い線幅を有する配線パターンに分割され、前記線幅の広い配線層は前記配線パターンの集合体で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-022843
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023112 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
絶縁配線層の平坦化
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-255398 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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